Infineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 1.8 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 3.5mm |
