此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 rDS(ON) 和快速开关。
RDS(ON) = 10mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 12A
RDS(ON) = 14mΩ（典型值），VGS = 6V，ID = 10A
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
低栅极电荷
高功率和高电流处理能力
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V |
