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Vishay SISS23DN-T1-GE3 MOSFET

订 货 号：SISS23DN-T1-GE3      品牌：Vishay/威世

库存数量：10             品牌属性：

RoHS：符合

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Vishay SISS23DN-T1-GE3 MOSFET
产品详细信息

P 通道 MOSFET，TrenchFET Gen III，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 27 A
最大漏源电压 20 V
封装类型 PowerPAK 1212
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 11.5 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 0.4V
最大功率耗散 57 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -8 V、+8 V
每片芯片元件数目 1
宽度 3.3mm
长度 3.3mm
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 195 nC @ 10 V
晶体管材料 Si
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