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Vishay SIR462DP-T1-GE3 MOSFET

订 货 号：SIR462DP-T1-GE3      品牌：Vishay/威世

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RoHS：符合

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Vishay SIR462DP-T1-GE3 MOSFET
产品详细信息

N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 19 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 PowerPAK SO
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 8 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 4.8 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
长度 4.9mm
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
宽度 5.89mm
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V，8.8 nC @ 4.5 V
晶体管材料 Si
暂无
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