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Vishay SI4909DY-T1-GE3 MOSFET

订 货 号：SI4909DY-T1-GE3      品牌：Vishay/威世

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RoHS：符合

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Vishay SI4909DY-T1-GE3 MOSFET
产品详细信息

双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 6.5 A
最大漏源电压 40 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 34 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 1.2V
最大功率耗散 3.2 W
晶体管配置 隔离式
最大栅源电压 -20 V、+20 V
典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V
每片芯片元件数目 2
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
长度 5mm
宽度 4mm
暂无
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