HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 封装类型 | TO-268 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 660 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V |
| 最大功率耗散 | 830 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 16.05mm |
| 宽度 | 14mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 90 nC @ 10 V |
