Infineon 使 N 沟道衰减模式小信号 MOSFET 晶体管广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它是 dv/dt 等级,卷轴上有 VGS(th)指示器。
无铅引线镀层
最大功耗为 360mW
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 350 mA |
最大漏源电压 | 240 V |
封装类型 | SOT-223 |
安装类型 | 表面贴装 |