属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 32 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | POWERDI5060 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 24 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.5V |
最小栅阈值电压 | 1V |
最大功率耗散 | 2.7 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 17 nC @ 10 V |
长度 | 5.1mm |
晶体管材料 | Si |
最高工作温度 | +150 °C |
宽度 | 6mm |