Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N,P |
最大连续漏极电流 | 1.5(N 通道)A,-1.5(P 通道)A |
最大漏源电压 | 20(N 通道)V、-20(P 通道)V |
封装类型 | TSOP |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 6 |
最大漏源电阻值 | 250 mΩ, 280 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 0.6 V, 1.2V |
最小栅阈值电压 | 0.7 V, 1.2V |
最大功率耗散 | 500 mW |
晶体管配置 | 隔离式 |
最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
典型栅极电荷@Vgs | 0.73 nC @ 4.5 V,3 nC @ 5 V |
宽度 | 1.6mm |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 2 |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 2.9mm |