ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 电源沟道工艺生产，该工艺包含屏蔽栅极技术。此过程经优化可耐受有效减少通态电阻，但仍保持卓越的切换性能。
有效减少传导损耗
高 Peak 电流和低寄生电感
为具有热挑战的应用提供更宽的设计余量
减少切换峰值
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 135 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | DFNW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0064 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
