Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS 超结 MOSFET 是经过优化的设备，专为满足板载 EV 充电市场领域的需求而定制。得益于低栅极电荷 (Qg) 和改进的切换行为，它可在目标市场中提供最高效率。此外，它还随附集成快速主体二极管和大幅降低反向恢复电荷 (Qrr) ，可在谐振拓扑中实现最高可靠性。由于具有这些功能， IPW60R037CSFD 符合车载 EV 充电站市场的效率和可靠性标准，并进一步支持高功率密度解决方案。
超快主体二极管
杰出反向恢复电荷 (Qrr)
改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 236 a |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | PG-to 247-3. |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.037 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
