DiodesZetex 生产的互补对增强模式 MOSFET，旨在最大限度地减少导通电阻 (RDS(ON)) ，同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。这种环保器件完全不含铅、卤素和锑。此款 MOSFET 采用 SOT363 封装且具有 0.6mm 的高度，非常适合薄型应用。具有切换速度快和效率高的特点。100% 无钳位电感开关，确保更加可靠而稳健的终端应用
最大漏极-源极电压 20 V 最大栅极-源极电压 ±6 V 超小封装尺寸 封装散热效率高，可用于更高密度的成品
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 600 mA，750 mA |
| 最大漏源电压 | 20 V，20 V |
| 封装类型 | SOT-363 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 0.75 O，1.5 O |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
