the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结( sj ) mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。
由于采用了、适用于硬切换和软切换( pfc 和 llc ) 卓越的换向坚固
显著减少切换和传导损耗
出色的 esd 稳定性 > 2kV ( hbm )、适用于所有产品
与竞争对手的产品相比、 rds (接通) / 封装产品更好
低 rds (接通) *a ( below1Ohm mm² )
完全合格符合适用于工业应用的 dec
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 27 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | Thinpak 8x8 |
引脚数目 | 5 |
最大漏源电阻值 | 125 个月 |
最大栅阈值电压 | 4V |