英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道 MOSFET 具有 60 V 漏源电压（VDS）和 64 A 漏电流（ID）。经优化用于开关模式电源（SMPS），如服务器、台式机和平板电脑充电器中的同步整流。此外，这些设备是一系列工业应用的完美选择，包括电机控制、太阳能微变频器和快速切换直流-直流转换器。
经优化，适合高性能 SMPS（例如，同步录音）
100% 通过雪崩测试
卓越的热阻
N 沟道
针对目标应用，符合 JEDEC1 标准
无铅引线镀层
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 无卤素
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 64 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | PG-TDSON |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
