DiodesZetex 生产的 P 通道增强模式 MOSFET，旨在满足汽车应用的严格要求。这种环保器件完全不含铅、卤素和锑。此款 MOSFET 采用 SO-8 封装。具有切换速度快和效率高的特点。温度最高可达 +175°C，特别适合于高温环境。100% 无钳位电感开关，确保更加可靠而稳健的终端应用
最大漏极-源极电压 40 V 最大栅极-源极电压 ±25 V 低导通电阻 RDS(ON) 有助于最大限度地减少功耗 低 Qg 有助于最大限度地减少开关损耗
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 11.4 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.015 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
