此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
低接通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
背光
电源管理功能
直流 - 直流转换器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5.5（状态）A，7（稳定）A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SO |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 52 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 1.8 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 8V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 4.95mm |
| 宽度 | 3.9mm |
