the Infineon 700V coolmos ™ P7 系列 n 沟道功率 mosfet 。此 coolmos ™ P7 是专为消费市场中的成本敏感型应用而定制的优化平台，如充电器、适配器、照明、电视等。该技术符合最高效率标准并支持高功率密度，使客户可以实现超薄设计。
极佳的热行为
集成 esd 保护二极管
低切换损耗（ eoss ）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8.5 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 封装类型 | 至 220 fullpak |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.6 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
