Infineon 小信号 N 沟道产品适用于汽车应用。此 SIPMOS 功率晶体管是 N 沟道增强模式,Vds 600 V,Rds(on)45 Ω,ID 0.12 A。它是 dv/dt 等级。
无铅引线镀层
最大功耗为 360mW
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 120 mA |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | SOT-223 |
安装类型 | 表面贴装 |