此 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））但保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
额定温度值为 +175°C — 特别适用于高环境温度
环境
低 RDS（接通）- 可最大程度减少通态损耗
低输入电容
快速切换速度
无铅表面
无卤素和无锑。“绿色”设备
BLDC 电机
直流 - 直流转换器
负载开关
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 45.8（状态）A，64.8（稳定）A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | PowerDI5060 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 13 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 55.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15.3 nC @ 10V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 6mm |
