低 RDS(接通)和 Qg
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装
谐振模式电源
高强度放电 (HID) 灯镇流器
交流和直流电动机驱动器
直流 - 直流转换器
机器人和伺服控制
电池充电器
3 级太阳能逆变器
LED 照明
无人机 (UAV)
效率更高
高功率密度
安装简便
节省空间
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 80 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 38 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 5V |
最小栅阈值电压 | 3.5V |
最大功率耗散 | 890 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±30 V |
典型栅极电荷@Vgs | 140 @ 10 V nC |
长度 | 16.13mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 5.21mm |
最高工作温度 | +150 °C |