Infineon 600V coolmos ™ C7 超结( sj ) mosfet 系列的关闭损耗( e oss )比 coolmos ™ cp 减少 ∼50% ,在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。效率和 tco (总拥有成本)应用,如超数据中心和高效电信整流器 (96%)>,得益于 coolmos ™ C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓扑中实现 0.3% 至 0.7% 的增益,在 LLC 中实现 0.1% 的增益。例如,对于 2.5kw 服务器 psu ,在 to-247 4pin 封装中使用 600V coolmos ™ C7 sj 型功率半导体器件可以降低 ∼10% 的能量成本,从而降低 psu 能量损耗。
减少切换损耗参数、如 q g 、 c oss 、 e oss
同类最佳的品质因数 Q G*R DS(接通)
增加切换频率
全球最佳的 R(接通)*A
坚固的体二极管
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 50 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | 至 -247 4pin |
引脚数目 | 4 |
最大漏源电阻值 | 40 个月 |
最大栅阈值电压 | 4V |