Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier 的这些 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新加工工艺在单位硅面积实现极低导通电阻。此优势为设计人员提供及其高效地设备,用于电池和负载管理应用。SO-8 经改良通过自定义引线框增强热特性和多模能力,特别适合各种电源应用。凭借这些改进,用户可以在应用中使用多个设备,显著减少板空间。该封装设计用于汽相、红外线或波峰焊接工艺。
优点:
P 沟道 MOSFET
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 8 A |
最大漏源电压 | 30 V |
封装类型 | SO |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 35 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最小栅阈值电压 | 1V |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | 20 V |
宽度 | 4mm |
最高工作温度 | +150 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 10 V |
长度 | 5mm |