Infineon 600V coolmos ™ C7 超结（ sj ） mosfet 系列的关闭损耗（ e oss ）比 coolmos ™ cp 减少 ∼50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。
可提高切换频率、而不会降低效率
测量显示轻负载和满负载效率的关键参数
将切换频率加倍将使磁性元件的尺寸减半
适用于相同 r ds （ on ）的较小封装
可用于更多位置、用于硬切换和软切换拓扑
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 13 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 180 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
