DiodesZetex n 通道增强模式 mosfet 设计用于有效减少通态电阻（ rds （接通）
额定温度值为 +175°c 、特别适用于高环境温度环境
出色的 qgd ´rds （接通）产品
低 rds （接通）可确保通态损耗最小化
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 52.4 a |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | PowerDI3333 － 8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.008 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | 塑料 |
