此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
低接通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
背光
直流 - 直流转换器
电源管理功能
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 2.6（（状态）P 沟道）A，3.3（（稳定）P 沟道）A，3.6（（状态）N 沟道）A，4.6（（稳定）N 沟道）A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | TSOT-26 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 140 （ p 沟道） mΩ 、 90 （ n 沟道） mΩ μ a |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5 (NChannel) V, 2.5 (PChannel) V |
| 最小栅阈值电压 | 1 (NChannel) V, 1 (PChannel) V |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 最大栅源电压 | ±20 v 、 ±20 v |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.5 nC @ 10 V（N 沟道），6.5 nC @ 10 V（P 沟道） |
| 长度 | 3mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 宽度 | 1.7mm |
