Infineon mos ™ P7 系列的设计为 950V 超级连接技术设定了新的基准，它将杰出的性能与最先进的易用性结合在一起，这是由英飞凌 18 年来领先的超级连接技术创新所产生的。
完全优化的产品组合
杰出的 cool mos ™品质和
集成齐纳二极管 esd 保护
同类杰出的 fom rds （接通） * eoss
减少了 qg 、 ciss 和 coss
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 封装类型 | Pg 至 220 fullpak - 窄引线 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.28. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 晶体管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
