英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 具有 100 V 漏源电压（VDS）和 44 A 漏电流（ID）。逻辑电平的功率 MOSFET 非常适用于充电、适配器和电信应用。设备的低栅极充电可减少切换损耗，不会影响传导损耗。逻辑电平 MOSFET 允许在高切换频率下操作，由于栅极阈值电压低，可直接从微控制器驱动。
经优化，适合高性能 SMPS（例如，同步录音）
100% 通过雪崩测试
卓越的热阻
N 沟道，逻辑电平
无铅引线镀层
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 无卤素
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 44 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | PG-TDSON |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
