英飞凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC，基于固体碳化硅技术，利用宽带隙 SiC 材料特性，650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合，适用于在高温和恶劣环境中操作，可实现最高系统效率的简化和具有成本效益的部署。
更高电流时的优化切换行为,
切换坚固的快速主体二极管,具有低 Qf,
卓越的
栅极氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的热性行为,
较低的 RDS(接通)和脉冲电流依赖温度,
增强的浪涌能力,
与标准驱动器兼
容,Kelvin 源提供高达 4 倍低的切换损耗
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
