DiodesZetex 生产的双 N 沟道增强模式 MOSFET，旨在最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON)) ，同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。这种环保器件完全不含铅、卤素和锑。此款 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装，0.6mm 离板高度使其是薄型应用的理想之选。具有切换速度快和效率高的特点。100% 无钳位电感开关，确保更加可靠而稳健的终端应用
最大漏极-源极电压 30 V 最大栅极-源极电压 ±12 V 在 PCB 上的占地尺寸 4mm^2 栅极阈值电压低 提供栅极 ESD 保护
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | U-DFN2020-6 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 0.03 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.7V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
