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Infineon BSG0811NDATMA1 MOSFET

订 货 号:BSG0811NDATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

库存数量:10             品牌属性:

RoHS:符合

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Infineon BSG0811NDATMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon 5.0x6.0mm² ™ 5 电源块是一种无引线 smd 封装,采用 1 μ m 封装轮廓,包括采用同步降压转换器配置的低侧和高侧 mosfet 。通过使用最佳 mos ™ 5 电源块替换两个独立的离散封装(例如 SO8 或 SuperSO8 ),客户可以将其设计缩减高达 85% 。标准化电源封装使客户受益、因为市场上可用的不同封装轮廓的数量已降至最低。

50A 最大平均负载电流
源低侧 mosfet 、可实现更好的印刷电路板冷却
内部连接低侧和高侧(最低回路电感)
高侧 kelvin 连接、可实现更高效的驱动


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 50 A
最大漏源电压 25 V
封装类型 电源块 5x6
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 0.003. Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2V
每片芯片元件数目 2
晶体管材料 Si
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