与前几代的功率MOSFET 相比， IXYS X2 类 HiPerFET 功率MOSFET 系列显著降低电阻和栅极电荷，从而降低了损耗，提高了操作效率。这些坚固耐用的器件包含增强型高速固有二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。X2 类功率MOSFET可采用多种行业标准封装，包括隔离型，在 650V 时额定电流高达 120A。典型应用包括直流 - 直流转换器，交流和直流电动机驱动器，开关模式和谐振模式电源，直流截波器，太阳能逆变器，温度和照明控制。
非常低的 RDS (接通) 和 QG (栅极电荷)
快速固有整流器二极管
低固有栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
低 RDS（接通）和 Qg
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装
谐振模式电源
高强度放电 (HID) 灯镇流器
交流和直流电动机驱动器
直流 - 直流转换器
机器人和伺服控制
电池充电器
3 级太阳能逆变器
LED 照明
无人机 (UAV)
效率更高
高功率密度
安装简便
节省空间
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 120 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-264P |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.7V |
| 最大功率耗散 | 1.25 kW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 240 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 26.3mm |
| 长度 | 20.3mm |
