Infineon IPB017N10N5 是 optiMOS 100V 功率 MOSFET ,采用 D2PAK 7 引脚封装, RDS (接通) 低 22%。它专门设计用于电信块中的同步整流,包括 OR-ING ,热插拔和电池保护,以及用于服务器电源应用。
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 180 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | TO-263 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 7 + Tab |
最大漏源电阻值 | 2.2 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3.8V |
最小栅阈值电压 | 2.2V |
最大功率耗散 | 375 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | 20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 168 nC @ 10 V |
长度 | 10.31mm |
最高工作温度 | +175 °C |
宽度 | 11.05mm |