DiodesZetex 生产的 N 沟道增强模式 MOSFET，旨在最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON)) ，同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。这种环保器件完全不含铅、卤素和锑。此款 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封装。具有切换速度快和效率高的特点。100% 无钳位电感开关，确保更加可靠而稳健的终端应用它是一款具有出色 Qgd ´RDS(ON) 的产品 (FOM) 并采用先进的直流-直流转换技术。
最大漏极-源极电压 30 V 最大栅极-源极电压 ±20 V 封装尺寸小且散热效率高，可用于更高密度的成品 占用 PCB 板面积仅为 SO-8 封装的 33% 可实现更小的成品
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | PowerDI5060-8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.025 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
