the Infineon 系列新的最佳功率是 T2 、它具有一系列节能 mosfet 晶体管、减少了 CO2 、并配有电动驱动器。新的最佳 mos T2 产品系列扩展了现有的最佳 mos -t 和最佳 mos 系列。提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
产品符合 aec Q101 标准
它具有 175°c 工作温度
100% 雪崩测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | Pg － TO262 － 3 － 1 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0074 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
