此 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
额定温度值为 +175°C - 特别适用于高环境温度环境
低接通电阻
快速切换速度
低输入/输出泄漏
无铅表面
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
电动机控制
背光
直流 - 直流转换器
打印机设备
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 35（状态）A，50（稳定）A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | TO-252 (DPAK) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 26 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 3.6 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 长度 | 6.7mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 6.2mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18.7 nC @ 10V |
