the Infineon ® T2 系列 n 沟道功率 mosfet 。它具有低切换和传导功率损耗、可实现高热效率。
N 通道 - 增强模式
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 90 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | DPAK (TO-252) |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.0066 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.1V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |