Infineon mos ™ C7 系列该产品组合提供快速切换超级结点式高电阻器的所有优点、可提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和卓越的可靠性。
mosfet dv/dt 稳定增加
得益于同类最佳 fom rds （接通） * eoss 和 rds （接通） * qg 、效率更高
同类最佳 rds （接通） / 封装
无铅电镀、无卤模制化合物
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 33 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 封装类型 | Pg 至 247-4. |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 0.065 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
