the Infineon coolmos ™ P7 超结（ sj ） mosfet 设计可提供出色的性能和易用性，从而改善外形和价格竞争力，从而应对低功率开关电源市场的典型挑战。这款采用了此种方法的、具有成本效益的一对一嵌入式 dak 替代产品、还可在某些设计中减少印迹。它可放置在典型的 dak 印迹上、并显示可比较的热性能。这种组合使采用了第 223-223 封装的 coolmos ™ P7 特别适用于其目标应用。
启用较低的 mosfet 芯片温度
与以前的技术相比、效率更高
允许改进外形和细长型设计
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 2000 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
