DiodesZetex 双 n 通道增强模式 mosfet 设计用于有效减少通态电阻（ rds （接通）
超低栅极阈值电压
低接通电阻
低输入电容
快速切换速度
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 10.6 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | V-5a-8 DFN3030 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.011 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.8V |
| 晶体管材料 | 塑料 |
