Infineon IGBT 模块 FET 类型为 4 个 N 通道（半桥），可在 1200V 漏源电压和 45A 连续漏极电流下工作。
底盘安装
-40°C 至 150°C 工作温度
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 45 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | AG-EASY1B-2 |
| 安装类型 | 底盘安装 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0225 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 5.55V |
| 晶体管材料 | SiC |
