Infineon OptiMOS 系列 N 通道 MOSFET 采用 D2-PAK 封装。它具有最高电流容量,最低切换和传导功率损耗的优点,可实现最高热效率和具有卓越质量和可靠性的坚固封装。
符合汽车 AEC Q101 规格
• MSL1 高达 260°C Peak 回流
工作温度• 175°C
•绿色封装
•超低 RDS
•经过 100% 雪崩测试
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 100 A |
最大漏源电压 | 55 V |
封装类型 | PG-TO263 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.0044 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |