Infineon 600V cool mos ™ C7 超接点( sj ) mosfet 系列的关闭损耗( e oss )比 cool mos ™ cp 减少 ∼50% ,在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。效率和 tco (总拥有成本)应用,如超数据中心和高效电信整流器 (96%)>,得益于 cool mos ™ C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓扑中实现 0.3% 至 0.7% 的增益,在 LLC 中实现 0.1% 的增益。例如,对于 2.5kw 服务器 psu ,使用采用 to-247 4pin 封装的 600V cool mos ™ C7 sj 型功率半导体器件, psu 能量损耗可降低 ∼10% 的能耗。
减小开关损耗参数,如 Q G、C oss、E oss
同类最佳的品质因数 Q G*R DS(接通)
增加切换频率
全球最佳的 R(接通)*A
坚固的体二极管
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 13 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | D2PAK (TO-263) |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.18 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |