Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 专为汽车应用设计，这种 HEXFET® Power MOSFET 的蜂窝状平面设计利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。
N 通道 - 增强模式
AEC 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
175°C 工作温度
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 300 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | D2PAK |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
