Infineon MOSFET 950V CoolMOS P7 系列在 950V 超结技术方面树立了新的标杆,并将同类最优性能与一流的易用性结合在一起,这是 Infineon 18 年来引领超结技术创新的结果。
同类最优 FOM RDS(导通) * Eoss
同类最优 DPAK RDS(导通)
同类最优 V(GS) 3V
完全优化的产品组合
集成齐纳二极管 ESD 保护
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 9 A |
最大漏源电压 | 950 V |
封装类型 | TO-252-3 |
安装类型 | 表面贴装 |