Infineon 60V , N 沟道, 5 兆欧汽车 MOSFET 采用 OptiMOS 5 技术,适用于 60V MOSFET ,采用工业标准 S3O8 3 mm x 3 mm 小尺寸封装,具有领先的性能,可提供低 RDSon , QG 和栅极电容,并最大程度减少传导和开关损耗。
用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET
N 沟道,增强模式,逻辑电平
认证范围超过 AEC-Q101 标准
增强型电气测试
坚固的设计
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品(符合 RoHS 标准)
经过 100% 雪崩测试
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 90 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | TSDSON |
安装类型 | 表面贴装 |