Infineon 1B 1200 v 、 11 mΩ 半桥模块采用 coolsic mosfet 、 ntc 和 presfit 触点技术。
高电流密度
同类最佳的开关和传导损耗
低电感设计
最高效率、可减少冷却工作量
更高频率操作
功率密度增加
优化客户的开发周期时间和成本
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 100 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | 模块 |
安装类型 | 螺丝安装 |
最大漏源电阻值 | 0.016. Ω |
最大栅阈值电压 | 20V |
每片芯片元件数目 | 4 |