英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道 MOSFET 具有 80 V 漏源电压(VDS)和 73 A 漏电流(ID)。与前一代相比,导通电阻 Rds(ON) 减少 43%,特别适用于高切换频率、调节器等。专为电信和服务器电源的同步整流设计。此外,还可用于其他工业应用,如太阳能、低电压驱动器和适配器。
特别适用于高频切换和同步录音
优化技术,用于直流/直流转换器
极佳的栅极充电 x 接通电阻产品(FOM)
非常低的接通电阻
100% 雪崩测试
N 沟道,正常电平
针对目标应用,符合 JEDEC1
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准
扩展的源互连,提高焊接接头可靠性
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 73 A |
最大漏源电压 | 80 V |
封装类型 | PG-TDSON |
安装类型 | 表面安装器件 |