此新一代 N 沟道增强模式 MOSFET 设计旨在最大程度减少 RDS（接通）损耗但保持卓越的切换性能。此器件特别适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
100% 非钳制电感切换 - 确保更可靠和坚固的端应用
低 RDS（接通）- 可最大程度减少通态损耗
快速切换速度
应用
电动机控制
直流 - 直流转换器
电源管理
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 113（稳定）A，90（状态）A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | PowerDI5060 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 11.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 139 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 长度 | 6mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 56.4 nC @ 10V |
| 宽度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
