DiodesZetex 生产的双 P 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装和 0.6mm 外形，使其特别适用于薄型应用。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。
最大排放到源电压为 20 V，最大门到源电压为 ±12 V，具有 4mm^2 的印刷电路板印迹， 提供低门临界电压，提供 ESD 保护门
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 3.2 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | U-DFN2020-6 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 0.168 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
