Infineon p 通道逻辑电平 MOSFET 具有最低的切换和传导功率损耗，以实现最高热效率。它采用坚固的封装，具有卓越的质量和可靠性。它经过 100% 雪崩测试。
它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准
高侧驱动器无需电荷泵
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 120 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0034 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
